FDMB2307NZ: 20V双N沟道PowerTrench®MOSFET

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 它包含两个共用漏极N沟道MOSFET，双向电流，采用飞兆先进的PowerTrench®工艺制造，具有最先进的MicroFET引脚架构，FDMB2307NZ将PCB空间和rS1S2(on)都最小化了。.

特性

• 在V_GS = 4.5V且ID = 8 A_{时，最大值r}S1S2(on) _{= 16.5 m}Ω
  
• 在V_GS = 4.2 V且ID = 7.4 A_{时，最大值r}S1S2(on) _{= 18 m}Ω
  
• 在V_GS = 3.1 V且ID = 7 A_{时，最大值r}S1S2(on) _{= 21 m}Ω
  
• 在V_GS = 2.5 V且ID = 6.7 A_{时，最大值r}S1S2(on) _{= 24 m}Ω
  
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x3 mm封装
  
• HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes