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FDMC3612: 100V N沟道Power Trench® MOSFET
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDMC3612.pdf
特性
V
GS
= 10V,I
D
= 3.3 A时,最大r
DS(on)
= 110mΩ
V
GS
= 6 V,I
D
= 3.0 A时,最大r
DS(on)
= 122mΩ
薄型 - 最大1 mm,采用Power 33封装
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMC3612
量产 绿色:截至2010年5月 中国 RoHS
$0.5745
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) - 0.8 x 3.3 x 3.3mm, 卷带
MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
最后更新: 2015年9月
MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing
最后更新: 2016年1月
MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年9月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDMC
第三行
3612
Application Notes
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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最后更新 : 2013年9月09日
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最后更新 : 2014年10月23日
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AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
AN-7533
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最后更新 : 2011年3月05日
FDMC3612.pdf
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A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) Drawing
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MLP8L 3.3x3.3 Packing Drawing
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MLP3X3 Tape And Reel Packing Drawing
Last Update: Sep 2016
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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