FDMC510P: -20V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 8.0 mΩ（V_GS = -4.5 V, I_D = -12 A
  ）
• 最大值 R_DS(on) = 9.8 mΩ（V_GS = -2.5 V, I_D = -10 A
  ）
• 最大值 R_DS(on) = 13 mΩ（V_GS = -1.8 V, I_D = -9.3 A
  ）
• 最大值 R_DS(on) = 17 mΩ（V_GS = -1.5 V, I_D = -8.3 A
  ）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 100%经过UIL测试
  
• 终端无引线且符合RoHS标准
  
• HBM ESD能力等级> 2KV典型值
  

Application Notes