此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用,例如高性能VRM、POL和Oring功能。
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