FDMC8010ET30: N 沟道 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。

特性

• TJ额定值扩展：175°C
  
• 最大值 r_DS(on) = 1.3 mΩ（V_GS = 10 V，I_D = 30 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 1.8 mΩ（V_GS = 4.5 V，I_D = 25 A
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
  

Application Notes