FDMC8200S: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。

特性

• Q1： N 沟道
  
• 最大值r_DS(on) = 20 mΩ （V_GS = 10V, I_D = 6 A
  ）
• 最大值r_DS(on) = 32 mΩ（ V_GS = 4.5 V, I_D = 5 A
  ）Q2： N 沟道
  
• 最大值r_DS(on) = 10 mΩ （V_GS = 10V, I_D = 8.5 A
  ）
• 最大值r_DS(on) = 13.5 mΩ （V_GS = 4.5 V, I_D = 7.2 A
  ）
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes