FDMC8360LET40: N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 r_DS(on) = 2.1 mΩ (V_GS = 10 V, I_D = 27 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 3.1 mΩ (V_GS = 4.5 V, I_D = 22 A
  
• 高性能技术，可实现极低 r_DS(on)
  
• 终端为无铅产品
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes