FDMC8622: 100V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化，可提供优异的 rDS(on)、开关性能和耐用性。

特性

• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
• V_GS = 10 V，I_D = 4 A_时，rDS(on) = 56 mΩ（最大值）
• V_GS = 6 V，I_D = 3 A_时，rDS(on)= 100 mΩ（最大值）
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
• 100% 经过 UIL 测试
• 终端无引线且符合RoHS标准

Application Notes