FDMC86570L: 60V N沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了Shielded Gate技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大值 r_DS(on) = 4.3 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 18 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 6.5 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 15 A
  
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
  
• 终端为无铅产品
  
• 符合 RoHS 标准
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Application Notes