FDMD8240LET40: 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件在双通道功率 (3.3 mm X 5 mm) 封装中包括两个 40V N 沟道 MOSFET。高端源极和低端漏极在内部进行连接，用于半桥/全桥、低源极电感封装，低 rDS(on)/Qg FOM 硅器件。

特性

• TJ 额定值扩展至 175°C
  
• 最大 r_DS(on) = 2.6 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 23 A
  
• 最大 r_DS(on) = 3.95 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 19 A
  
• 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
  

Application Notes