FDMD8260LET60: 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

该器件包括两个 60 V N 沟道 MOSFET，采用双 Power (3.3 mm x 5 mm) 封装。 HS 源极和 LS 漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性

• TJ 额定值扩展至 175°C
  
• 最大 r_DS(on) = 4.9 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 15 A
  
• 最大 r_DS(on) = 7.7 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 12 A
  
• 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
  

Application Notes