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FDMS030N06B: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V, 100A, 3mΩ
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDMS030N06B.pdf
特性
R
DS(on)
= 2.4mΩ(典型值)@ V
GS
= 10V, I
D
= 50A
先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 R
DS(on)
和高效率
快速开关速度
100% 经过 UIL 测试
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMS030N06B
量产 绿色:截至2011年9月 中国 RoHS
$1.476
PQFN 5x6 8L (Power 56) - 1.1 x 5 x 6.15mm, 卷带
PQFN 5x6 8L (Power 56) 示意图
最后更新: 2016年4月
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDMS
第三行
030N06B
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