FDMS0310S: 30 V N 沟道 PowerTrench® SyncFET

FDMS0310S 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的 rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性

• 最大 r_DS(on)=4.0 mΩ（V_GS=10 V、I_D =18 A
  时）
• 最大 r_DS(on) =5.2 mΩ（V_GS =4.5 V, I_D=14 A
  时）
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 r_DS(on)和高效率
  
• SyncFET肖特基体二极管
  
• MSL1 耐用封装设计
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes