FDMS4435BZ: P沟道PowerTrench® MOSFET

这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性

• 在V_GS = -10 V且ID = -9.0 A时，最大值r_DS(on) = 20 m_Ω
• 在V_GS = -4.5 V且ID = -6.5 A时，最大值r_DS(on) = 37 m_Ω
• 为电池应用提供了扩展的VGSS电压范围(-25 V)
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
• 高功率和高电流处理能力
• HBM ESD保护级别>7 KV典型值（注4）
• 100%经过UIL测试
• 终端是符合RoHS标准的无铅产品

Application Notes