FDMS7620S: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件包含两个专用MOSFET，采用独特的双功率56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低开关损耗“高端”MOSFET通过一个低导通损耗“低端”SyncFET互补。

特性

• Q1： N沟道
• V_GS = 2 V且ID = 10.1 A时，最大r_DS(on) = 20.0 m_Ω
• V_GS = 4.5 V且ID = 7.5 A时，最大r_DS(on) = 30.0 m_Ω Q2： N沟道
• V_GS = 2 V且ID = 12.4 A时，最大r_DS(on) = 11.2 m_Ω
• V_GS = 4.5 V且ID = 10.9 A时，最大r_DS(on) = 14.2 m_Ω
• 为简单PCB设计而优化的引脚
• 热高效双功率56封装
• 符合RoHS标准

Application Notes