FDMS7672: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 19 A_时，rDS(on) = 5.0 mΩ（最大值）
• V_GS = 4.5 V，I_D = 15 A时，最大r_DS(on) = 6.9 mΩ
• 先进的封装和硅设计，实现了低r_DS(on)和高效率
• 增强型体二极管设计用于软恢复，在同步降压转换器应用中提供出色的性能。
• MSL1耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes