FDMS7698: 30V N沟道PowerTrench MOSFET®

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 13.5 A时，最大r_DS(on) = 10 mΩ
• V_GS = 4.5 V，I_D = 11.0 A时，最大r_DS(on) = 15 mΩ
• 先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低r_DS(on)和高效率
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes