FDMS8026S: 30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDMS8026S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的rDS(on)。该器件具有一个高效单片肖特基体二极管所具备的额外优势。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 19 A时，最大r_DS(on) = 4.3 mΩ
• V_GS = 4.5 V，I_D = 17 A时，最大r_DS(on) = 5.2 mΩ
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低r_DS(on)和高效率
• SyncFET肖特基体二极管
• MSL1耐用封装设计
• 100%经过UIL测试
• 符合RoHS标准

Application Notes