FDMS8090: 100V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench® 功率级

该器件在双Power 56（5 毫米 X 6 毫米 MLP）封装中包括两个快速开关（QGD最小化）100V N 沟道 MOSFET。封装增强用于出色的热性能。

特性

• 最大值 rDS(on) = 13 mΩ（VGS = 10 V, ID = 10 A 时）
  
• 最在值 r_DS(on) = 20 mΩ（V_GS = 6 V, I_D = 8 A
  ）
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes