FDMS8095AC: 双30V P沟道PowerTrench® MOSFET

这些双 N 沟道和双 P 沟道增强型功率 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺专用于最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能。缩小用于实现有源箝位拓扑的面积，实现最佳功率密度。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 30 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 6.2 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 41 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 5.2 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 1200 mΩ（V_GS = -10 V、I_D = -1 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 1400 mΩ（V_GS = -6 V、I_D = -0.9 A
  
• 针对有源箝位正激变换器进行优化
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes