FDMS86101DC: N 沟道 Dual CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，该工艺融入了栅极屏蔽技术。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性

• 栅极屏蔽 MOSFET 技术
  
• Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装
  
• V_GS = 10 V，I_D = 14.5 A_{时，Max r}DS(on)
  = 7.5 mΩ
• V_GS = 6 V，I_D = 11.5 A时，最大r_DS(on) = 12mΩ
  
• 通态电阻 r_DS(on)
  极低的高性能技术
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes