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FDMS86104: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDMS86104.pdf
特性
V
GS
= 10 V,I
D
= 7 A时,最大r
DS(on)
= 24 mΩ
V
GS
= 6 V,I
D
= 5.5 A时,最大r
DS(on)
= 39 mΩ
先进的封装和硅技术完美融合,实现了低r
DS(on)
和高效率
MSL1耐用封装设计
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMS86104
量产 绿色:截至2009年12月 中国 RoHS
$0.927
PQFN 5x6 8L (Power 56) - 1.1 x 5 x 6.15mm, 卷带
PQFN 5x6 8L (Power 56) 示意图
最后更新: 2016年4月
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDMS
第三行
86104
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