FDMS86183: N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET100 V, 51 A, 12.8 mΩ

N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻，同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大值 r_DS(on) = 12.8 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 16 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 34.6 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 8 A
  
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
  
• 降低了开关噪声/EMI
  
• MSL1 强健封装设计
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes