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FDMS8888: N沟道PowerTrench® MOSFET 30V,21A,9.5mΩ
FDMS8888 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供最低的 rDS(on)。
数据手册DataSheet
FDMS8888.pdf
特性
最大 r
DS(on)
= 9.5 mΩ(V
GS
= 10 V、I
D
= 13.5 A
最大 r
DS(on)
= 14.5 mΩ(V
GS
= 4.5 V、I
D
= 10.9 A
低 r
DS(on)
和高效的先进硅封装
MSL1 耐用封装设计
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMS8888
量产 绿色:截至2011年7月 中国 RoHS
$0.186
PQFN 5x6 8L (Power 56) - 1.1 x 5 x 6.15mm, 卷带
PQFN 5x6 8L (Power 56) 示意图
最后更新: 2016年4月
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
8888
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FDMS8888.pdf
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Last Update : 05-Mar-2011
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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