FDMS9600S: 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

该器件包含两个专用MOSFET，采用独特的双功率56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低传导损耗低端SyncFET是低开关损耗高端MOSFET的补充器件™。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 8.5mΩ（V_GS = 10V，I_D = 12A
• 最大值 R_DS(on) = 12.4mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 10A
• 最大值 R_DS(on) = 5.5mΩ（V_GS = 10V，I_D = 16A
• 最大值 R_DS(on) = 7.0mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 14A
• 低Q_D高端MOSFET
• 低R_DS(on)低端MOSFET
• 热高效的双Power 56封装
• 为简单PCB设计而优化的引脚
• 符合RoHS标准

Application Notes