FDN302P: P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道2.5V额定MOSFET采用稳固栅极版本的飞兆先进的PowerTrench工艺生产。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 12V)广泛的电源管理应用进行了优化。

特性

• –20 A，–2.4 V。
• R_DS(ON) = 0.055 mΩ @ VGS = –4.5 V
• R_DS(ON) = 0.080 mΩ @ VGS = –2.5 V
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• SuperSOT™-3提供低R_DS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比SOT23高出30%

Application Notes