FDN306P: P沟道1.8V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性

• -2.6 A，-12 V
• R_DS(ON) = 40 mΩ @ V_GS = -4.5 V
• R_DS(ON) = 50 mΩ @ V_GS = -2.5 V
• R_DS(ON) = 80 mΩ @ V_GS = -1.8 V
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• SuperSOT™-3提供低R_DS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比SOT23高出30%

Application Notes