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FDN327N: N沟道1.8Vgs额定PowerTrench® MOSFET
该20V N沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
FDN327N.pdf
特性
2A、20 V
R
DS(ON)
= 70 mΩ @ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 80 mΩ @ V
GS
= 2.5 V
R
DS(ON)
= 120 mΩ @ V
GS
= 1.8 V
低栅极电荷
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(ON)
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDN327N
量产 绿色:截至2011年12月 中国 RoHS
$0.1001
SSOT 3L - 1.12 x 2.92 x 1.4mm, 卷带
SSOT 3L 示意图
最后更新: 2015年5月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
327
&E
(空间)
&G
(每周日期代码)
Application Notes
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快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
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AN-9010
MOSFET 基础
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最后更新 : 2011年3月05日
FDN327N.pdf
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SSOT 3L Drawing
Last Update: May 2015
SOT Tape and Reel Packing Drawing
Last Update: Oct 2016
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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