FDN361BN: 30V N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越开关性能而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

特性

• 1.8 A，30 V。
• R_DS(ON) = 110 mΩ @ V_GS = -10 V
• R_DS(ON) = 160 mΩ @ V_GS = 4.5 V
• 低栅极电荷
• 工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有SuperSOT™-3设计，具有优异的热性能和电气性能
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)

Application Notes