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FDN371N: 20V N沟道PowerTrench® MOSFET
该 20V N 沟道 MOSFET 采用飞兆高压 PowerTrench 工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
FDN371N 数据手册
特性
2.5 A, 20 V. R
DS(ON)
= 50 mW @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 60 mW @ VGS = 2.5 V
R
DS(ON)
= 60 mW @ VGS = 2.5 V
低栅极电荷(典型值7.2nC)
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(ON)
Ordering Code 订购信息
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDN371N
量产 绿色:截至2011年12月 中国 RoHS
$0.1705
SSOT 3L - 1.12 x 2.92 x 1.4mm, 卷带
PDF SSOT 3L 示意图
最后更新: 2015年5月
PDF SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
371
&E
(空间)
&G
(每周日期代码)
FDN371N
0.7
0.6
55
150
应用指南
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AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
最后更新 : 2013年8月27日
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AN-9065 同步整流中的 FRFET®
最后更新 : 2013年9月09日
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
最后更新 : 2016年3月29日
AN-4163
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
最后更新 : 2014年10月23日
AN-9005
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
最后更新 : 2014年11月26日
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AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南
最后更新 : 2013年8月27日
AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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AN-7533
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
MOSFET Basics
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A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification
Last Update : 28-Jun-2014
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Last Update : 26-Nov-2014
Power MOSFET Avalanche Guideline
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