FDPC5018SG: PowerTrench® Power

该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 4.6 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 17 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 6.5 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 14 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 1.6 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 32 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 2.0 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 28 A
  
• 低电感封装降低升/降时间，从而
• 集成 MOSFET 可优化布局，
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes