FDPC8014AS: 25 V 非对称双 N 沟道 MOSFET

该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFETTM (Q2) 设计用于提供最佳电源效率。

特性

• 最大 r_DS(on) = 3.8 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 20 A
  
• 最大 r_DS(on) = 4.7 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 18 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.0 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 40 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.2 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 37 A
  
• 低电感封装降低升/降时间，从而
• MOSFET 集成可实现降低电路电感以及开关
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes