FDPF041N06BL1: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用 Fairchild®先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制。

特性

• R_DS(on) = 3.5 mΩ（典型值） @ V_GS = 10 V, I_D = 77 A
• 低 FOM R_DS(on)^*Q_G
• 低反向恢复电荷，Q_rr
• 反向恢复软体二极管
• 使能高效同步整流
• 快速开关速度
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes