FDS3590: 80V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特性

• 6.5 A, 80 V
  
• R_DS(on) = 39 mΩ（V_GS = 10 V 时）
  
• R_DS(on) = 44 mΩ（V_GS = 6 V
  ）
• 低栅极电荷
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力
  

Application Notes