FDS4465: P沟道1.8V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(1.8V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。

特性

• -13.5 A，-20 V。
• R_DS(on) = 8.5mΩ @ V_GS = -4.5V
• R_DS(on) = 10.5mΩ @ V_GS = -2.5V
• R_DS(on) = 14mΩ @ V_GS = -1.8V
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高电流和功率处理能力

Application Notes