这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
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