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FDS4559: 60V互补PowerTrench® MOSFET
此互补MOSFET器件采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDS4559.pdf
特性
4.5 A,60 V
R
DS(ON)
= 55 mΩ @ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 75 mΩ @ V
GS
= 4.5 V
3.5 A,-60 V
R
DS(ON)
= 105 mΩ @ V
GS
= -10 V
R
DS(ON)
= 135 mΩ @ V
GS
= -4.5 V
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDS4559
量产 绿色:截至2015年1月 中国 RoHS
$0.4281
SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带
SO 8L NB 示意图
最后更新: 2015年11月
MO8A SON8, Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
SOIC 8L TR packing drawing
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDS
第三行
4559
Application Notes
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AN-7510
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AN-4163
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最后更新 : 2014年10月23日
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SOIC 8L TR packing drawing
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SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
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Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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