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FDS86240: 150V N沟道PowerTrench® MOSFET
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
数据手册DataSheet
FDS86240.pdf
特性
最大r
DS(on)
= 19.8 mO (V
GS
= 10 V, I
D
= 7.5 A)
V
GS
= 6 V,I
D
= 6.4 A时,最大r
DS(on)
= 26 mΩ
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(on)
在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDS86240
量产 绿色:截至2014年5月 中国 RoHS
$1.5983
SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带
SO 8L NB 示意图
最后更新: 2015年11月
MO8A SON8, Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
SOIC 8L TR packing drawing
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDS
第三行
86240
Application Notes
AN-558
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MOSFET 基础
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FDS86240.pdf
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A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
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FRFET® in Synchronous Rectification
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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SO 8L NB Drawing
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MO8A SON8, Packing Drawing
Last Update: Oct 2015
SOIC 8L TR packing drawing
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SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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