FDS8672S: 30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDS8672S设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS8672S包含由MOSFET与肖特基二极管单片集成的专利组合，该组合使用飞兆的单片SyncFET技术。

特性

• V_GS = 10V，I_D = 18A时，r_DS(on) = 4.8 mΩ（最大值）
• V_GS = 4.5V，I_D = 15A时，最大r_DS(on) = 7.0 mΩ
• 包含SyncFET肖特基体二极管
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)和快速开关
• 高功率和高电流处理能力
• 100%通过R_G（栅极电阻）测试
• 终端是符合RoHS标准的无铅产品

Application Notes