FDS9400A: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。

特性

• -3.4 A, -30 V
• R_DS(on) = 130 mΩ@ V_GS = -10 V
• R_DS(on) = 200 mΩ @ V_GS = -4.5 V
• 低栅极电荷（2.4nC，典型值）
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

Application Notes