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FDS9933A: 双P沟道2.5V规格PowerTrench® MOSFET
这些P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDS9933A.pdf
特性
-3.8A、-20V
R
DS(on)
= 0.075 Ω @ V
GS
= -4.5V
R
DS(on)
= 0.105 Ω @ V
GS
= -2.5 V
低栅极电荷(7nC典型值)
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的r
DS(on)
高功率和高电流处理能力
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDS9933A
量产 绿色:截至2015年1月 中国 RoHS
$0.3261
SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带
SO 8L NB 示意图
最后更新: 2015年11月
MO8A SON8, Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
SOIC 8L TR packing drawing
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDS
第三行
9933A
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
最后更新 : 2016年3月29日
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AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
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AN-9005
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
最后更新 : 2014年11月26日
AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
最后更新 : 2011年3月05日
AN-9065
AN-9065 同步整流中的 FRFET®
最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
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最后更新 : 2014年10月23日
AN-9034
AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南
最后更新 : 2013年8月27日
AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
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最后更新 : 2011年3月05日
FDS9933A.pdf
Power MOSFET Avalanche Guideline
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MOSFET Basics
Last Update : 09-Sep-2013
A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification
Last Update : 28-Jun-2014
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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SO 8L NB Drawing
Last Update: Nov 2015
MO8A SON8, Packing Drawing
Last Update: Oct 2015
SOIC 8L TR packing drawing
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
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Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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