FDS9945: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

此类N沟道逻辑电平MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。 此类MOSFET同类似的RDS(on)规格的MOSFET相比，拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 3.5 A, 60 V
• R_DS(ON) = 0.100Ω @ V_GS = 10 V
• R_DS(ON) = 0.200Ω @ V_GS = 4.5 V
• 优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器
• 极快速开关
• 低栅极电荷

Application Notes