FDT439N: N沟道2.5V规格增强模式场效应晶体管

该N沟道增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。 这种高单元密度工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。 此类产品非常适合低电压、低电流应用，例如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。

特性

• 6.3 A, 30 V。 R_DS(on) = 0.045 Ω @ V_GS = 4.5 V
  R_DS(on) = 0.058 Ω @ V_GS = 2.5 V
  
• 快速开关速度
  
• 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力
  

Application Notes