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FDY2000PZ: -20V双P沟道额定PowerTrench® MOSFET
此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
数据手册DataSheet
FDY2000PZ.pdf
特性
-350 mA,-20 V
R
DS(ON)
= 1.2 Ω @ V
GS
= - 4.5 V
R
DS(ON)
= 1.6 Ω @ V
GS
= - 2.5 V
静电放电(ESD)保护二极管(注3)
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDY2000PZ
量产 绿色:截至2010年12月 中国 RoHS
$0.1034
SOT-563F 6L - 0.58 x 1.6 x 1.2mm, 卷带
SOT-563F 6L 示意图
最后更新: 2015年4月
SOT563F-6L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOT563 T&R PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&2
(2 位日期代码)
A
Application Notes
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最后更新 : 2011年3月05日
FDY2000PZ.pdf
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SOT563F-6L, PACKING DRAWING
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SOT563 T&R PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOT Tape and Reel Packing Drawing
Last Update: Oct 2016
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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