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FDY300NZ: 20V单N沟道2.5V规格PowerTrench® MOSFET
此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计,用以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5v。
数据手册DataSheet
FDY300NZ.pdf
特性
600 mA,20 V
R
DS(ON)
= 700 mΩ @ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 850 mΩ @ V
GS
= 2.5 V
静电放电(ESD)保护二极管(注3)
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDY300NZ
量产 绿色:截至2011年1月 中国 RoHS
$0.0879
SOT-523F 3L - 0.68 x 1.6 x 0.88mm, 卷带
SOT-523F 3L 示意图
最后更新: 2015年4月
SOT523F-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
第一行
C
&2
(2 位日期代码)
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FDY300NZ.pdf
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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