FDZ375P: -20Ｖ P沟道1.5V 额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET

FDZ375P的设计采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench®工艺以及一流的"微间距"薄型WLCSP封装工艺，可最大限度地减少PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -2.0 A时，r_DS(on)= 78 mΩ（最大值）
• V_GS = -2.5 V，I_D = -1.5 A时，最大r_DS(on) = 92 mΩ
• V_GS = -1.8 V，I_D = -1.0 A时，最大r_DS(on) = 112 mΩ
• V_GS = -1.5 V，I_D = -1.0 A_时，rDS(on) = 150 mΩ（最大值）
• 只占用1.0 mm2的PCB面积。 比2X2 BGA面积小30%
• 只占用1.0 mm2的PCB面积。 比2X2 BGA面积小30%
• 符合 RoHS 标准

Application Notes