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首页 > FAIRCHILD 飞兆半导体 > IGBT 绝缘栅型双极晶体管 > FGA15S125P

FGA15S125P: 1250V、15A、阳极短路 IGBT

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件可并行配置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。

数据手册DataSheet
FGA15S125P.pdf
特性
  • 高速开关
  • 低饱和电压:VCE(sat) =2.25V @ IC = 15A
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品产品和生态状况单价/1K包装方法规则丝印标记
FGA15S125P量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS$1.89TO-3PN 3L  -  4.8 x 15.6 x 38.7mm,  管装
  • TO-3PN 3L  示意图 最后更新: 2015年6月
  • PKG-TO3PN03A_Tube_Packing_Drawing 最后更新: 2014年1月
第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FGA15S

第三行125P

Application Notes
  • AN-4155 适用于感应加热应用的飞兆半导体第二代、场截止、阳极短路、沟道 IGBT 最后更新 : 2014年6月28日
  • FGA15S125P.pdf
    Fairchilds Second-Generation, Field-Stop, Shorted-Anode, Trench IGBTs for Induction Heating Applications Last Update : 28-Jun-2014
    TO-3PN 3L  Drawing Last Update: Jun 2015
    PKG-TO3PN03A_Tube_Packing_Drawing Last Update: Jan 2014
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