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IGBT 绝缘栅型双极晶体管
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FGA50S110P: 1100 V, 50 A,短路阳极 IGBT
飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件为电磁炉和微波炉量身定制。
数据手册DataSheet
FGA50S110P.pdf
特性
内置反并联二极管,用于软开关应用
大开关频率范围:10 kHz 至 50 kHz
高温稳定性能(T
jmax
= 175℃)
低饱和压降:V
CE(sat)
= 2.06 V,需 I
C
= 50 A
鲁棒性锅炉检测噪声抗扰度
符合 RoHS 标准(无铅引脚电镀)
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FGA50S110P
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$2.85
TO-3PN 3L - 4.8 x 15.6 x 38.7mm, 管装
TO-3PN 3L 示意图
最后更新: 2015年6月
PKG-TO3PN03A_Tube_Packing_Drawing
最后更新: 2014年1月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FGA50S
第三行
110P
FGA50S110P.pdf
TO-3PN 3L Drawing
Last Update: Jun 2015
PKG-TO3PN03A_Tube_Packing_Drawing
Last Update: Jan 2014
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