- 简体中文
- English
FGA6530WDF: 650 V、30 A 场截止沟道 IGBT
Fairchild 的场截止第 3代 IGBT 新系列采用创新型场截止 IGBT 技术，为低导通和开关损耗的焊接应用提供最优性能。
| FGA6530WDF.pdf |
特性
- 最大结温： TJ = 175°C
- 正温度系数，易于并联运行
- 高电流能力
- 低饱和电压： VCE(sat) = 1.8 V（典型值） @ IC = 30 A
- ILM(1) 部件 100% 检测
- 高输入阻抗
- 快速开关
- 紧密的参数分布
- 符合 RoHS 标准
| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FGA6530WDF | 量产 绿色：截至2015年6月 中国 RoHS | $2.415 | TO-3PN 3L
-
4.8 x 15.6 x 38.7mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FGA6530 |
- TO-3PN 3L Drawing Last Update: Jun 2015
- PKG-TO3PN03A_Tube_Packing_Drawing Last Update: Jan 2014
©1993 - 2024 BDTIC
