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FAIRCHILD 飞兆半导体
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> FGD3325G2_F085
FGD3325G2_F085: 250 V、25 A、1.35 V、330 mJ、DPAKEcoSPARK® II、N 沟道点火 IGBT
数据手册DataSheet
FGD3325G2_F085.pdf
特性
在 TJ = 25oC 时,SCIS 能量 = 330 mJ
逻辑电平栅极驱动
符合 AEC Q101 标准
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FGD3325G2_F085
量产 绿色:截至2014年12月 中国 RoHS
$0.7876
TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带
TO-252 3L (DPAK) 示意图
最后更新: 2016年6月
TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO252-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO252-3L packing drawing
最后更新: 2013年5月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FGD
第三行
3325G2
FGD3325G2_F085.pdf
TO-252 3L (DPAK) Drawing
Last Update: Jun 2016
TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2016
TO252-3L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
TO252-3L packing drawing
Last Update: May 2013
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